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High performance and high yield sub-240 nm AlN:GaN short period superlattice LEDs grown by MBE on 6 in. sapphire substrates
MBE在6英寸上生长的高性能和高产量亚240纳米AlN：GaN短周期超晶格发光二极管。蓝宝石衬底
相关领域
材料科学 光电子学 蓝宝石 超晶格 发光二极管 薄脆饼 二极管 分子束外延 兴奋剂 氮化镓 光学 外延 图层（电子） 激光器 纳米技术 物理
网址
https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.01601...
DOI
10.1063/5.0160177 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Jordan Nicholls; Liam Anderson; William Lee; Jason Jae Seok Ahn; Ashokraj Baskaran; et al
出版日期：2023-08-01
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默默戎 在 2025-12-17 10:44:21 发布自北京，悬赏 10 积分
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