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 High performance and high yield sub-240 nm AlN:GaN short period superlattice LEDs grown by MBE on 6 in. sapphire substrates MBE在6英寸上生长的高性能和高产量亚240纳米AlN：GaN短周期超晶格发光二极管。蓝宝石衬底
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jordan Nicholls; Liam Anderson; William Lee; Jason Jae Seok Ahn; Ashokraj Baskaran; et al 出版日期：2023-08-01 |
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