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 Doped Silicon Oxide Deposition by Atmospheric Pressure and Low Temperature Chemical Vapor Deposition Using Tetraethoxysilane and Ozone 使用四乙氧基硅烷和臭氧的常压和低温化学气相沉积掺杂氧化硅
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期刊：Journal of The Electrochemical Society 作者：K. Fujino; Yuko Nishimoto; N. Tokumasu; K. Maeda 出版日期：1991-10-01 |
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