| 标题 |
 Enhancement-Mode N-Polar GaN MOS-HFET With 5-nm GaN Channel, 510-mS/mm $g_{m}$, and 0.66-$\Omega\cdot \hbox{mm}$$R_{\rm on}$ 相关领域
跨导
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物理
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Uttam Singisetti; Man Hoi Wong; James S. Speck; Umesh K. Mishra 出版日期：2011-11-07 |
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