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 Design and Optimization of Self‐Isolation GaN HEMT with Lateral‐Polarity‐Structure 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Yijun Dai; Zihui Zhao; Tian Luo; Zhehan Yu; Li Chen; et al 出版日期：2022-12-29 |
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Criminology34
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