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 High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Pegah Bagheri; Cristyan Quiñones-García; Dolar Khachariya; Shashwat Rathkanthiwar; Pramod Reddy; et al 出版日期：2022-11-09 |
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