Schottky barrier height modulation of metal–interlayer–semiconductor structure depending on contact surface orientation for multi-gate transistors

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标题	Schottky barrier height modulation of metal–interlayer–semiconductor structure depending on contact surface orientation for multi-gate transistors 多栅晶体管接触面取向对金属-层间-半导体结构肖特基势垒高度调制相关领域肖特基势垒材料科学接触电阻光电子学晶体管半导体锗调制（音乐）身体接触偶极子纳米技术硅电气工程图层（电子）化学电压哲学工程类有机化学美学二极管
网址	https://doi.org/10.1063/1.5065537
DOI	10.1063/1.5065537 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Gwang-Sik Kim; Tae In Lee; Byung Jin Cho; Hyun‐Yong Yu 出版日期：2019-01-07
求助人	阿莫西林胶囊在 2025-08-11 15:27:48 发布自云南，悬赏 10 积分
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