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 Schottky barrier height modulation of metal–interlayer–semiconductor structure depending on contact surface orientation for multi-gate transistors 多栅晶体管接触面取向对金属-层间-半导体结构肖特基势垒高度调制
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Gwang-Sik Kim; Tae In Lee; Byung Jin Cho; Hyun‐Yong Yu 出版日期：2019-01-07 |
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