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 Enabling Merged 3D NAND Memory Hole and Interlayer Dielectric (ILD) Contact Etches with Deposition and Etch Co-Optimization (DECO) 通过沉积和蚀刻协同优化(DECO)实现合并的3D NAND存储器孔和层间电介质(ILD)接触蚀刻
相关领域
电介质
材料科学
沉积（地质）
光电子学
蚀刻（微加工）
与非门
计算机科学
电子工程
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复合材料
工程类
地质学
沉积物
古生物学
图层（电子）
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期刊： 作者：John Hoang; George Matamis; Calvin Pham; Hao Chi; Jonathan Church; et al 出版日期：2025-05-18 |
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