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标题
The effect of DC bias and fast-rise pulse voltage on delayed impact ionization in a silicon diode structure
直流偏压和快速上升脉冲电压对硅二极管结构延迟冲击电离的影响
相关领域
二极管 硅 材料科学 电离 光电子学 撞击电离 反向偏压 偏压 电压 脉搏（音乐） 化学 离子 电气工程 工程类 有机化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mee.2024.112292
DOI
10.1016/j.mee.2024.112292 doi
其它 期刊：Microelectronic Engineering
作者：Alexey F. Kardo-Sysoev; Maksim N. Cherenev; Alexander G. Lyublinsky; Shaira A. Yusupova; E. I. Belyakova; et al
出版日期：2024-11-22
求助人
MNYYQA 在 2025-08-29 11:17:18 发布，悬赏 10 积分
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