Nanoscale InSe/GaTe van der Waals Heterojunction Diodes for Extreme Deep Ultraviolet Detection in Semiconductor Lithography and Inspection

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标题	Nanoscale InSe/GaTe van der Waals Heterojunction Diodes for Extreme Deep Ultraviolet Detection in Semiconductor Lithography and Inspection 用于半导体光刻和检测中极深紫外检测的纳米级InSe/栅极范德华异质结二极管
网址	https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02221
DOI	10.1021/acsanm.5c02221 doi
其它	期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Nahid Chaudhary; Santanu Kandar; Taslim Khan; Rajendra Singh 出版日期：2025
求助人	倔驴在 2025-09-14 13:30:40 发布自北京，悬赏 10 积分
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