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标题
Practical Improvement of Noncontact Production Monitoring of Doping in SiC Wafers with Extended Epilayer Defects
具有扩展磊层缺陷的SiOIC片中掺杂非接触生产监测的实际改进
相关领域
薄脆饼 材料科学 计量学 兴奋剂 光电子学 计算机科学 光学 物理
网址
https://doi.org/10.4028/p-2btclo
DOI
10.4028/p-2btclo doi
其它 期刊：Defect and diffusion forum/Diffusion and defect data, solid state data. Part A, Defect and diffusion forum
作者：Alexandre Savtchouk; Marshall Wilson; Bret Schrayer; Lucas N. Gutierrez; Carlos Almeida; et al
出版日期：2024-08-22
求助人
ddddaaa 在 2025-09-17 11:36:32 发布自江苏，悬赏 30 积分
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