| 标题 |
  N-Type Printed Organic Source-Gated Transistors with High Intrinsic Gain 具有高本征增益的N型印刷有机源栅晶体管
相关领域
晶体管
光电子学
材料科学
薄膜晶体管
电极
有机半导体
电子线路
纳米技术
电气工程
图层（电子）
化学
电压
工程类
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanomaterials 作者：Yudai Hemmi; Yuji Ikeda; Radu A. Sporea; Yasunori Takeda; Shizuo Tokito; et al 出版日期：2022-12-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
带头大哥
cdercder
Copyright
无极微光
GingerF
OK
Oracle
浮游
More
东风
DKJ
Fellow_Lee
Gu
pluto
乌拉拉
Nexus
孙悟空大巨人
Twonej
贪玩的秋柔
初景
皖公网安备34019202002308
