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 High mobility field-effect transistors based on MoS2 crystals grown by the flux method 基于磁通法生长MoS2晶体的高迁移率场效应晶体管
相关领域
材料科学
Crystal（编程语言）
电子迁移率
晶体管
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期刊：Nanotechnology 作者：Vilas Patil; Jihyun Kim; Khushabu Agrawal; Tuson Park; Junsin Yi; et al 出版日期：2021-04-12 |
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