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  Origin of Voids at the SiO2/SiO2 and SiCN/SiCN Bonding Interface Using Positron Annihilation Spectroscopy and Electron Spin Resonance 用正电子湮没谱和电子自旋共振研究SiO2/SiO2和SiCN/SiCN键界面空隙的起源
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Fuya Nagano; Fumihiro Inoue; Alain Phommahaxay; Lan Peng; François Chancerel; et al 出版日期：2023-02-22 |
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