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 Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements 相关领域
材料科学
纳米线
负阻抗变换器
排水诱导屏障降低
阈下斜率
光电子学
MOSFET
泄漏（经济）
电容
量子隧道
锆钛酸铅
铁电性
凝聚态物理
栅极电介质
晶体管
场效应晶体管
电介质
电气工程
物理
电压
工程类
经济
电压源
宏观经济学
量子力学
电极
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期刊：The European Physical Journal Plus 作者：Dariush Madadi; Ali A. Orouji 出版日期：2021-07-01 |
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