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 HgCdTe heteroepitaxy on three-inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric control of substrate temperature 三英寸（112）CdZnTe/Si上的HgCdTe异质外延：衬底温度的椭偏控制
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：L. A. Almeida; Nibir K. Dhar; M. Martinka; J. H. Dinan 出版日期：2000-06-01 |
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