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 High Gamma Value 3D-Stackable HK/MG-Stacked Tri-Gate Nanowire Poly-Si FETs With Embedded Source/Drain and Back Gate Using Low Thermal Budget Green Nanosecond Laser Crystallization Technology 相关领域
纳米线
材料科学
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光电子学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chih-Chao Yang; Wei‐Hsiang Huang; Teh-Sheng Hsieh; Tsung‐Ta Wu; Hsing-Hsiang Wang; et al 出版日期：2016-03-02 |
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