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Exciton localization on basal stacking faults in a-plane epitaxial lateral overgrown GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
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DOI
10.1063/1.3075596 doi
其它 期刊:Journal of Applied Physics
作者:P. Corfdir; P. Lefebvre; J. Levrat; A. Dussaigne; J.-D. Ganière; et al
出版日期:2009-02-18
求助人
默默的素阴 在 2026-01-28 18:29:38 发布自山东,悬赏 10 积分
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