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Exciton localization on basal stacking faults in a-plane epitaxial lateral overgrown GaN grown by hydride vapor phase epitaxy |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:P. Corfdir; P. Lefebvre; J. Levrat; A. Dussaigne; J.-D. Ganière; et al 出版日期:2009-02-18 |
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