| 标题 |
  Experimental Study on Critical Parameters Degradation of Nano PDSOI MOSFET under TDDB Stress TDDB应力下纳米PDSOI MOSFET临界参数退化的实验研究
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
介电强度
MOSFET
栅氧化层
晶体管
阈值电压
光电子学
电气工程
压力（语言学）
电子工程
电压
电介质
工程类
哲学
语言学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Tianzhi Gao; Jianye Yang; Hongxia Liu; Yong Lu; Changjun Liu 出版日期：2023-07-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
小牛马阿欢
渡人舟
invisight
My_magnum_opus
mmmm
song
152455
嘻嘻哈哈
Grayball
乐空思
老实灵安
林狗
Yinxb
OK
GingerF
DW
anyue
Elsevier大王
QM
初景
皖公网安备34019202002308
