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Electromigration and Line R of Graphene Capped Cu Dual Damascene Interconnect 相关领域
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期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:T. Nogami; S. Nguyen; Huai Huang; Nicholas A. Lanzillo; H. Shobha; et al 出版日期:2021-12-11 |
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