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 Influence of TaN films deposited using different N2 flow rates on the properties of Ta and Cu films in advanced 3D NAND memory 相关领域
材料科学
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Xianglie Sun; Shuliang Lv; Yuan Li; Chi Huang; Haodong Ma; et al 出版日期：2020-04-14 |
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