Influence of TaN films deposited using different N2 flow rates on the properties of Ta and Cu films in advanced 3D NAND memory

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标题	Influence of TaN films deposited using different N2 flow rates on the properties of Ta and Cu films in advanced 3D NAND memory 相关领域材料科学 X射线光电子能谱电子背散射衍射透射电子显微镜分析化学（期刊）衍射扫描电子显微镜堆积电阻率和电导率电子衍射结晶学复合材料微观结构纳米技术核磁共振光学化学电气工程物理工程类色谱法
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105120
DOI	10.1016/j.mssp.2020.105120 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Xianglie Sun; Shuliang Lv; Yuan Li; Chi Huang; Haodong Ma; et al 出版日期：2020-04-14
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