Simulation of Threshold Voltage Instability of 4H-SiC MOSFET

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标题	Simulation of Threshold Voltage Instability of 4H-SiC MOSFET 相关领域阈值电压材料科学 MOSFET 碳化硅光电子学晶体管不稳定性离子负偏压温度不稳定性氧化物电压电气工程物理复合材料冶金工程类量子力学机械
网址	https://doi.org/10.4028/p-03lzaf
DOI	10.4028/p-03lzaf doi
其它	期刊：Key Engineering Materials 作者：Si Jie Fan; Ming Min Huang; Cai Ping Wan; Min Gong; Heng Xu 出版日期：2023-07-31
求助人	xx 在 2026-01-04 15:32:01 发布自塞浦路斯，悬赏 30 积分
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