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 Simulation of Threshold Voltage Instability of 4H-SiC MOSFET 相关领域
阈值电压
材料科学
MOSFET
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期刊：Key Engineering Materials 作者：Si Jie Fan; Ming Min Huang; Cai Ping Wan; Min Gong; Heng Xu 出版日期：2023-07-31 |
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