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 Study on False Turn-On in IGBT With Floating p-Well and Comparing With Improved Structures 相关领域
绝缘栅双极晶体管
转身（生物化学）
电子工程
电气工程
计算机科学
工程类
物理
电压
核磁共振
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yaosen Liu; Mingmin Huang; Yao Ma; Rui Li; Keqiang Ma; et al 出版日期：2025-01-17 |
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(2025-6-4)
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