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 Improving Gate Reliability of 6-In E-Mode GaN-Based MIS-HEMTs by Employing Mixed Oxygen and Fluorine Plasma Treatment 采用氧氟混合等离子体处理提高6英寸E型GaN基MIS-HEMT的栅极可靠性
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
薄脆饼
晶体管
栅极电介质
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电介质
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电气工程
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Nan Sun; Huolin Huang; Zhonghao Sun; Ronghua Wang; Shuxing Li; et al 出版日期：2021-01-01 |
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