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 Organic Nonvolatile 2T Memory Cell Employing a NOT‐Gate‐Like Architecture Toward Binary Output Level With Enhanced Noise Tolerance 采用具有增强噪声容限的非栅极状结构朝向二进制输出电平的有机非易失性2T存储器单元
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期刊：Advanced Materials 作者：Qiang Zhao; Hanlin Wang; Zhenjie Ni; Jie Liu; Jie Li; et al 出版日期：2024-11-16 |
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