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 Achieving porous germanium from both p- and n-type epitaxial Ge-on-Si via bipolar potentiostatic etching 通过双极恒电位刻蚀从p型和n型外延Ge-on-Si中获得多孔锗
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期刊：Electrochimica Acta 作者：Ying Zhu; Yiwen Zhang; Bowen Li; Guangrui Xia; Rui‐Tao Wen 出版日期：2023-10-05 |
| 求助人 |
lau
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2025-08-28 21:53:31 发布，悬赏 10 积分
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