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 V-Band Flip-Chip Assembled Gain Block Using In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As Metamorphic High-Electron-Mobility Transistor Technology 相关领域
材料科学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Che-Yang Chiang; Heng‐Tung Hsu; Chin-Te Wang; Chien-I Kuo; Heng-Shou Hsu; et al 出版日期：2011-10-11 |
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