Modeling and simulation of the insulated gate bipolar transistor turn-off voltage slope under inductive load

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标题	Modeling and simulation of the insulated gate bipolar transistor turn-off voltage slope under inductive load 相关领域绝缘栅双极晶体管电气工程电容瞬态（计算机编程）电压功率半导体器件功率（物理）材料科学电流注入技术瞬态电压抑制器双极结晶体管晶体管计算机科学物理工程类电极量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.7498/aps.65.158501
DOI	10.7498/aps.65.158501 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Tan Ji; Zhu Yang-jun; Shuojin Lu; Xiaoli Tian; Yuan Teng; et al 出版日期：2016-01-01
求助人	ZHANGLinlin 在 2025-10-17 14:18:13 发布自云南，悬赏 10 积分
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