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 N-Polar GaN Deep Recess HEMT With Atomic Layer Deposition HfO2 as Gate Insulator 相关领域
高电子迁移率晶体管
电介质
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Oğuz Odabaşı; Subhajit Mohanty; Kammruzzaman Khan; Elaheh Ahmadi 出版日期：2023-07-24 |
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