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 27.2 A Voltage-Biased CMOS Hall Sensor with $1.0\mu \mathrm{T}(3\sigma)$ Offset and a $60\text{nT}/ \sqrt{\text{Hz}}$ Noise-Floor 27.2具有$1.0\mu\mathrm{T}(3\sigma)$偏移和$60\text{nT}/\sqrt{\text{Hz}}$底噪的电压偏置CMOS霍尔传感器
相关领域
偏移量（计算机科学）
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CMOS芯片
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期刊：2022 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Floris J. P. van Mourik; Sining Pan; Karen M. Dowling; Kofi A. A. Makinwa 出版日期：2025-02-16 |
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