Atomic‐Layer‐Deposited Al 2 O 3 as Effective Barrier against the Diffusion of Hydrogen from SiN x :H Layers into Crystalline Silicon during Rapid Thermal Annealing

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标题	Atomic‐Layer‐Deposited Al 2 O 3 as Effective Barrier against the Diffusion of Hydrogen from SiN x :H Layers into Crystalline Silicon during Rapid Thermal Annealing
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssr.2020003...
DOI	10.1002/pssr.202000367 doi
其它	期刊：physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 作者：Lailah Helmich; Dominic C. Walter; Dennis Bredemeier; Jan Schmidt 出版日期：2020-09-22
求助人	小刘在 2026-10-08 19:59:58 发布自上海，悬赏 10 积分
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