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The behaviour of 350 V GaN HEMTs during heavy ion irradiations |
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:F. Velardi; G. Canale Parola; S. Palazzo; E. Martano; A. Sanseverino; et al 出版日期:2025-05-01 |
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(2025-6-4)