An investigation of angle effect on heavy ion induced single event effect in SiC MOSFET

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标题	An investigation of angle effect on heavy ion induced single event effect in SiC MOSFET
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114696
DOI	10.1016/j.microrel.2022.114696 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Xinkun Yan; Zhenfeng He; Q.Y. Chen; P.P. Hu; S. Gao; et al 出版日期：2022-09-24
求助人	小卢同学在 2026-11-07 00:58:10 发布自浙江，悬赏 10 积分
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