Modeling Stress Effects from Fin Isolation in 7nm FinFET Transistors

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标题	Modeling Stress Effects from Fin Isolation in 7nm FinFET Transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1109/cas62834.2024.10736860
DOI	10.1109/cas62834.2024.10736860 doi
其它	期刊：2024 International Semiconductor Conference (CAS) 作者：Angelo Rossoni; Zsolt M. Kovacs-Vajna; Luigi Colalongo; Rajesh Khamankar; Sharad Saxena; et al 出版日期：2024-10-09
求助人	gshh 在 2026-10-08 13:50:54 发布自广西，悬赏 10 积分
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