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 L G 55 nm T‐gate InGaN / GaN channel based high electron mobility transistors for stable transconductance operation 相关领域
跨导
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
晶体管
异质结
钝化
击穿电压
电流密度
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物理
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量子力学
工程类
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期刊：International Journal of Rf and Microwave Computer-aided Engineering 作者：A. Revathy; Boopathi ChettiaGoundar Sengodan; A. Mohanbabu; Arathy Varghese; V. Bharath Sreenivasulu 出版日期：2022-07-08 |
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