| 标题 |
Process optimization of plasma nitridation SiON for 65 nm node gate dielectrics
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
负偏压温度不稳定性
栅氧化层
光电子学
泄漏(经济)
栅极电介质
等离子体
CMOS芯片
MOSFET
工艺优化
薄脆饼
电介质
可靠性(半导体)
介电强度
金属浇口
氧化物
节点(物理)
电子工程
电气工程
晶体管
电压
工程类
冶金
功率(物理)
物理
结构工程
量子力学
环境工程
经济
宏观经济学
|
| 网址 |
求助人暂未提供
|
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 其它 |
期刊:中国科学:信息科学(英文版) 作者:He Yan 出版日期:2011-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)