| 标题 |
High-Temperature Atomic Layer Deposition of Thermal-Oxide-Quality SiO2 Using Methyltrichlorosilane |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Okhyeon Kim; Jae-Seok An; Tanzia Chowdhury; Changgyu Kim; Khabib Khumaini; et al 出版日期:2026 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)