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 Exploration of Bulk and Epitaxy Defects in 4H-SiC Using Large Scale Optical Characterization 利用大规模光学表征探索4H-SiC中的体缺陷和外延缺陷
相关领域
材料科学
位错
外延
薄脆饼
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期刊：Materials science forum 作者：R.T. Leonard; Michael J. Paisley; S. Bubel; Joseph J. Sumakeris; Adrian R. Powell; et al 出版日期：2017-05-15 |
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