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 Investigation of the Determining Factors for the “Mobility Boost” in High‐k‐Gated Transparent Oxide Semiconductor Thin‐Film Transistors 高k栅透明氧化物半导体薄膜晶体管“迁移率提升”的决定因素研究
相关领域
材料科学
高-κ电介质
薄膜晶体管
栅极电介质
光电子学
电子迁移率
电容
电介质
晶体管
栅氧化层
半导体
氧化物
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冶金
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Yuhang Sun; Junkyu Kim; Neel Chatterjee; Sarah L. Swisher 出版日期：2021-03-23 |
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