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 Near-infrared light-emitting diode based on graphene/layered γ-InSe Schottky junction 基于石墨烯/层状γ-InSe肖特基结的近红外发光二极管
相关领域
材料科学
光学
光电子学
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石墨烯
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二极管
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纳米技术
物理
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期刊：Optics Letters 作者：Anping Ge; Liaoxin Sun; Wenji Jing; Dongjie Zhou; Lei Ma; et al 出版日期：2025-05-01 |
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