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 Efficient access to non-damaging GaN (0001) by inductively coupled plasma etching and chemical–mechanical polishing 通过电感耦合等离子体刻蚀和化学机械抛光有效获取非损伤GaN（0001）
相关领域
感应耦合等离子体
抛光
化学机械平面化
蚀刻（微加工）
等离子体
材料科学
等离子体刻蚀
等离子体原子发射光谱
冶金
纳米技术
光电子学
图层（电子）
物理
量子力学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Qiubo Li; Shouzhi Wang; Lei Liu; Kepeng Song; Jiaoxian Yu; et al 出版日期：2024-09-10 |
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