| 标题 |
Band-to-band tunneling mechanism observed at room temperature in lateral non-degenerately doped nanoscale p-n and p-i-n silicon devices 横向非简并掺杂纳米级p-n和p-i-n硅器件室温下观察到的带间隧穿机制
相关领域
兴奋剂
材料科学
光电子学
量子隧道
硅
跨导
二极管
电压
电气工程
晶体管
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Arief Udhiarto; Ratno Nuryadi; Miftahul Anwar; Gaurang Prabhudesai; Daniel Moraru 出版日期:2020-12-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)