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 A Quantitative Comparison Between the Electrical Characteristics of Vertical Super Thin Body (VSTB) FET and Silicon on Insulator Vertical Super-Thin Body (SOI VSTB) FET 垂直超薄体（VSTB）场效应管与绝缘体上硅垂直超薄体（SOI VSTB）场效应管电学特性的定量比较
相关领域
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期刊：Silicon 作者：Vikas Kumar; Radhe Gobinda Debnath; Srimanta Baishya 出版日期：2022-11-28 |
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