A Quantitative Comparison Between the Electrical Characteristics of Vertical Super Thin Body (VSTB) FET and Silicon on Insulator Vertical Super-Thin Body (SOI VSTB) FET

绝缘体上的硅 材料科学 光电子学 兴奋剂 摇摆 绝缘体(电) 离子 缩放比例 薄膜 电压 阈值电压 纳米技术 电气工程 晶体管 物理 几何学 数学 工程类 量子力学 声学
作者
Vikas Kumar,Radhe Gobinda Debnath,Srimanta Baishya
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (7): 3083-3090 被引量:1
标识
DOI:10.1007/s12633-022-02237-x
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