A Quantitative Comparison Between the Electrical Characteristics of Vertical Super Thin Body (VSTB) FET and Silicon on Insulator Vertical Super-Thin Body (SOI VSTB) FET

绝缘体上的硅 材料科学 光电子学 兴奋剂 摇摆 硅 绝缘体(电) 离子 缩放比例 薄膜 电压 阈值电压 纳米技术 电气工程 晶体管 物理 几何学 数学 工程类 量子力学 声学
作者
Vikas Kumar,Radhe Gobinda Debnath,Srimanta Baishya
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (7): 3083-3090 被引量:1
标识
DOI:10.1007/s12633-022-02237-x
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