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 Parametric Analysis of Indium Gallium Arsenide Wafer-based Thin Body (5 nm) Double-gate MOSFETs for Hybrid RF Applications 用于混合射频应用的基于砷化铟镓晶片的薄体（5 nm）双栅MOSFET的参数分析
相关领域
砷化镓
薄脆饼
材料科学
光电子学
铟
镓
参数统计
电子工程
工程类
冶金
统计
数学
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期刊：Recent Patents on Nanotechnology 作者：Pattunnarajam Paramasivam; Naveenbalaji Gowthaman; Viranjay M. Srivastava 出版日期：2023-06-02 |
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