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 Top‐Down Synthesis of Hollow Graphene Nanostructures for Use in Resistive Switching Memory Devices 相关领域
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Gopinathan Anoop; Tae Yeon Kim; Hye Jeong Lee; Varij Panwar; Jeong Hun Kwak; et al 出版日期：2017-08-23 |
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