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Pt/Al2O3/TaO X /Ta Self-Rectifying Memristor With Record-Low Operation Current (<2 pA), Low Power (fJ), and High Scalability 具有创纪录低工作电流(2 pA)、低功率(fJ)和高可扩展性的Mo/Al 2 O3/TaO X /Ta自整流记忆电阻
相关领域
欧米茄
数学
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分析化学(期刊)
电气工程
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Sheng‐Guang Ren; Run Ni; Xiaodi Huang; Yi Li; Kan‐Hao Xue; et al 出版日期:2021-12-22 |
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