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 Bias dependent physics-based model of low-frequency noise for nanowire type gate-all-around MOSFETs 相关领域
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Boram Yi; Geun Soo Yang; Sylvain Barraud; Laurent Bervard; Jae Woo Lee; et al 出版日期：2021-12-21 |
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