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标题
A new Vertical C-shaped Silicon Channel Nanosheet FET with Stacked High-K Dielectrics for Low Power Applications
一种用于低功耗应用的新型垂直C形硅沟道纳米片场效应晶体管，具有堆叠式高K电介质
相关领域
纳米片 材料科学 电介质 硅 高-κ电介质 光电子学 功率（物理） 频道（广播） 纳米技术 工程物理 电气工程 工程类 量子力学 物理
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-024-02871-7
DOI
10.1007/s12633-024-02871-7 doi
其它 期刊：Silicon
作者：Angelin Delighta A; Binola K Jebalin. I.V; J. Ajayan; S. Angen Franklin; D. Nirmal
出版日期：2024-01-30
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tib 在 2025-08-04 12:32:51 发布，悬赏 10 积分
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