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 A new Vertical C-shaped Silicon Channel Nanosheet FET with Stacked High-K Dielectrics for Low Power Applications 一种用于低功耗应用的新型垂直C形硅沟道纳米片场效应晶体管，具有堆叠式高K电介质
相关领域
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期刊：Silicon 作者：Angelin Delighta A; Binola K Jebalin. I.V; J. Ajayan; S. Angen Franklin; D. Nirmal 出版日期：2024-01-30 |
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