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 Demonstration of etching-trench-assisted deep implantation PIN junction termination Ga2O3 SBD with 6.6 kV breakdown voltage and 10.69 GW/cm2 power figure of merit 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Pengfei Dong; Bowen Tang; Hong Yu Zhou; Wei Mao; Jianghan Zhao; et al 出版日期：2026-11-02 |
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