GaN Power HEMT with Breakdown Voltage >800 V Grown by MBE

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标题	GaN Power HEMT with Breakdown Voltage >800 V Grown by MBE
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10985951/10987225/109872...
DOI	10.1109/cpeee64598.2025.10987253 doi
其它	期刊：2025 15th International Conference on Power, Energy, and Electrical Engineering (CPEEE) 作者：ZC Yang; YQ Wang; JG Zhuang; Eason Liao 出版日期：2025-05-14
求助人	小HIN 在 2026-10-24 15:31:14 发布自上海，悬赏 10 积分
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